sith晶闸管（晶闸管视频）

晶体管的发展历史是怎样的

1、晶体管的发明主要要追溯到当时工程师利莲费尔德，这个工程师在当时就取得了有关晶体管的这个专利，但是由于当时科技发展水平很低，这种材料的制作也比较困难，于是晶体管就无法被制造出来。

2、）真空三极管1939年2月，Bell实验室有一个伟大的发现，硅p_n结的诞生。1942年，普渡大学Lark_Horovitz领导的课题组中一个名叫Seymour Benzer的学生，发现锗单晶具有其它半导体所不具有的优异的整流性能。

3、晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的诞生吹响了号角。

大功率晶体管的分类

大功率晶体管按类型可分为功率双极晶体管、功率场效应晶体管（如功率MOSFETs和IGBTs），每一种类型都有其特定的优势和适用场合。比如，功率MOSFET适合高频开关应用，而IGBTs则在处理高电压和大电流的应用中表现更佳。

三极管按照功率不同被分为：小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。

晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。

按功率分：小功率：功率在1W以下 中功率：1-10W；大功率：10W以上。

从外表看一般是体积越大，功率越大，从标识看，无法一一列出，因为品种太多。但可以在晶体管手册上查；比如以国产管为例，PNP锗大功率管，3AD1~6功率是1W；3AD11~17功率是20W；3AD18是50W。

大功率三极管根据其特征频率的不同分为高频大功率三极管(f(T)3MHz)和低频大功率三极管 (f(T)(3MHz)。

什么是变频技术?

1、(1)交—直变频技术：又称整流技术，它是利用整流电路将交流电源转换成直流电源。 (2)直—直变频技术：又称斩波技术，它是利用斩波电路将直流电源转换成直流脉冲电源，通过调节脉冲的频率或宽度来改变直流脉冲电源有效值的大小。

2、变频技术是一种把直流电逆变成不同频率的交流电的转换技术。它可把交流电变成直流电后再逆变成不同频率的交流电，或是把直流电变成交流电后再把交流电变成直流电。

3、通过改变交流电频率的方式实现交流电控制的技术就叫变频技术 变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。

4、通过改变交流电频的方式实现交流电控制的技术就叫变频技术。

电力半导体元器件有哪些?

电力半导体器件（5A以上）简称：电力电子元器件 说明：包括整流管、电力晶闸管、电力晶体管、电力场效应器件、场控双极型复合器件、功率MOS场效应管、固态继电器模块、静电感应器件（SIT）、其他电力半导体器件。

MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）：MOSFET是一种常用的功率开关器件，具有开关速度快、损耗小、可靠性高等优点。在电动汽车变流器中，MOSFET常用于直流母线的开关控制。

电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。

功率半导体器件，简称功率器件，又称电力电子器件，属于半导体产品中的分立器件。功率集成电路也就是如下图的【功率IC】，典型产品有【电源管理芯片】和【各类驱动芯片】等，属于半导体产品中的集成电路。

晶闸管（可控硅），它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型（控制导通、自然关断）电力电子器件，门极可关断晶闸管（GTO）属全控型电力电子器件。电力晶体管(GTR)，属于电流控制电流全控型电力电子器件。

主要有巨型晶体管GTR，功率场效应管PMOSFET，双极型绝缘栅功率晶体管IGBT，双向晶闸管GTO；和新型电力电子器件（集成门极换流晶闸管）IGCT等几种。

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