晶闸管的电压上升率（晶闸管开启电压）

为什么阳极电压上升率过高能够导通晶闸管?

对同一晶闸管，阳极电压增高会触发晶闸管导通。

阳极电压大于阴极电压 在触发晶闸管后，阳极电压必须大于阴极电压才能使晶闸管正常导通。这个电压差的大小也取决于晶闸管的型号和工作环境。在实际应用中，需要保证阳极和阴极之间的电压差满足晶闸管的导通条件。双向晶闸管的控制极需要一定的触发信号 双向晶闸管的控制极需要一定的触发信号才能使其正常导通。

所以，除了注入门极电流使GTO导通外，在一定条件下过高的阳极电压和阳极电压上升率du/dt，过高的结温及火花发光照射等均可能使GTO触发导通。所有这些非门极触发都是不希望的非正常触发，应采取适当措施加以防止。

(2) 阳极电压上率du/dt过高；产生位移电流，最终使晶闸管导通 (3) 结温过高；漏电流增大引起晶闸管导通。3 试说明晶闸管有那些派生器件。

电压电流上升率限制的原因

1、原理是电磁感应原理，交变电流产生交变磁场，交变磁场使电感产生反电动势抑制电流变化，抑制电压变化不是指抑制电感两端的电压，是指抑制和电感串联的器件的电压变化。

2、电压越高电流越小，当功率不变时，电流和电压成反比，功率P＝ⅠU。比如输入电压80～260Ⅴ的200W电源在满功率时，220V的电流（按90%效率、功率因数1）大约为1A，输入100Ⅴ时电流就会上升为2A。当电压越高电流越大时，根据欧姆定律可知，电阻内通过的电流和电阻两端电压成正比，和电阻值成反比。

3、系统中存在大量的感性负载。感性负载在系统中会消耗大量的无功功率，这会导致电压降低。如果系统中存在大量的感性负载，电压将无法保持稳定，从而导致电压升高。电阻和电感 输电线路的电阻和电感过大。输电线路的电阻和电感过大，会导致电流在传输过程中受到限制，使得电压升高。

4、电路吸收的功率 是，电路吸收的功率 ，流入的电流和电路两端电压的乘积。一般是无源电路，也有有电源的情形，就是充电，这时候电流是从电池正极流入电池的。吸收和发出都是可能的，一般通过电压和电流的方向来判别。若已知电压和电流的实际方向，则两者一致，为吸收，否则，为发出。电路中常用参考方向。

5、前后两个电压概念不同。加在用电电器上的电压，是加在耗电元件两端的电位差，是真正意义上的电压。而一般所说的线路电压，实际上是电位的概念，或者叫线路导线对大地（零电位的电压），严格来说是三相交流供电系统中两相导线之间的电压，专业术语是线电压。至于上述现象的原理，楼上各位已经给出答案了。

6、通常是电压降低导致电流增加，也可能是电机发生卡涩或者轴承损坏等因素。另外，负载突然增加也会造成电流增加电压降低。

电力电子题!

．一型号为KP10-7的晶闸管，UTN=700VIT(AV)=10A。12．中间直流侧接有大电容滤波的逆变器是电压型逆变器，交流侧输出电压波形为矩形波。3．晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是__均压___措施。4．在SPWM的调制中，载波比是载波频率和调制波频率的比值。

填空题写出下列电力电子器件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT。双向晶闸管的图形符号是；3个电极分别是第一阳极T1，第二阳极T2，门极G。

电路原理图如上图左半部分所示。变压器漏感等效为串入电路的电感。由于漏感的存在，a相VT1想关关不上，b相VT2虽开开不全（实际上VT2可靠导通了，但是电流小，就像水管子，阀门开了，但是水流小），漏感阻碍电流变化的结果就是“填平”了ab两相的电压差，使两相同时导通，如上图右半部分所示。

（1）BUCK电路中输出电压与输入电压的关系式为：V0=Vin*D，D为占空比，不明白你说的输入电流时指哪里，如果是流过开关管的电流的话，在开关管在导通时，其输入电流与输出电流相同，在关断时，其值为0，因而，输入电流大小范围也在0.1A~10A。

关于固态继电器负载电流的疑问

1、固态继电器发热原因：固态继电器即在正常工作的时候，在其内部芯片上存在一定的功率损耗，这个损耗功率主要由固态继电器输出电压降与负载电流乘积决定，以发热的形式消耗掉。因此散热的好坏直接影响到固态继电器工作的可靠性，优良的热学设计可避免由于散热不良造成的失败和损坏。

2、显然，你选用固态继电器，必须满足其要求。既然它已经指明了电流的范围是0.1A--1A，你的电流小于0.1A就可能工作不正常。因为固态继电器是用电力电子元件来模拟开关的导通与关断，既然是模拟，就不可能完全与有接点的继电器一样。因此当电流太小时，固态继电器的导通可能产生问题，如导通电阻太大等。

3、是指额定电压480v，最大负载电流40A。三相固态继电器输出的电压是输入电压决定的，电流多少是由负载决定的。当然你用到400v的电压也行。只要电流不要超过40A。

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