晶闸管导通时间（晶闸管的导通）

晶闸管导通条件

1、晶闸管的导通条件：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。闸管导通的方法如下：减小正向阳极电压至一个数值一下，或加反向阳极电压；增加负载回路中的电阻。闸管关断的条件是：使主端子间的正向电流小于维持电流。

2、使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲），UAK0且UGK0。维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 来源：输配电设备网。

3、晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

4、晶闸管正常导通的条件有门极有足够的触发电流、阳极电压大于阴极电压、双向晶闸管的控制极需要一定的触发信号、晶闸管的串联和并联要求和温度对晶闸管导通的影响。门极有足够的触发电流 晶闸管正常导通的第一步是触发，而触发需要一定的电流。

晶闸管的电路换向关断时间为

1、十微秒左右。晶闸管导通条件：门极G加触发信号，主端子A、K之间加正向电压，且使得主端子间的正向电流大于擎住电流。关断的条件：使主端子间的正向电流小于维持电流。晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。

2、反向阻断恢复时间和正向阻断恢复时间。晶闸管的关闭方式从本质上来说就是要破坏两个三极管之间的正反馈关系与三极管的导通条件，是反向阻断恢复时间和正向阻断恢复时间之和。

3、kk晶闸管开关时间是几十微秒。KK型快速晶闸管为常规快速晶闸管，关断时间为几十微秒，应用于400Hz的斩波或逆变电路中。KK是快速晶闸管，频率高。

4、要根据两个参数来确定： tgt （控制极开通时间 ）和 tq（电路换向关断时间）。工作频率越高，需要选用的 tgt 和tq 越小。

5、关断时间(toff)是指从晶闸管从导通状态切换到截止状态所需的时间，这对于动态电路的响应速度至关重要。最后，通态电压临界上升率(du/dt)反映了晶闸管在快速变化的电压下，能否保持稳定工作，过高的上升率可能导致过应力和器件损坏。

怎样使可控硅控制电路的效果最佳?

触发脉冲要有足够的移相范围并且要与主回路电源同步 为了保证晶闸管变流装置能在给定的控制范围内工作，必须使触发脉冲能在相应的范围内进行移相。

晶闸管应用电路--进行功率控制电路晶闸管能够控制传输到负载的功率。通常需要根据负载要求(例如电机速度控制和调光器)来改变提供给负载的功率。在这种情况下，用传统的可调电位器改变功率不是一种可靠的方法，因为功耗很大。为了降低大功率电路中的这种功耗，晶闸管是功率控制器件的最佳选择。

可控硅的触发电路设计巧妙，无论是外部还是内部电路，都旨在限制负信号的威力，并有效降低功率损耗。施加的直流信号如同调色板中的稳定基础，为触发过程奠定了坚实的基础。脉冲信号的舞步 脉冲信号的出现，宛如芭蕾舞者轻盈的足尖，它不仅提升了效率，还提供了电气隔离，保护电路免受噪声干扰。

双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。

晶闸管导通时间越长整流出来的电压越大还是越小?

一般情况下电路晶闸管开通时间要比二极管长一点，晶闸管和二极管是两类不同的器件，谈不上区别。二极管是一个单向导电器件。晶闸管有单向和双向之分，通常的晶闸管，开通后不能自行关断，需要在外加电压下降到0甚至反向时才关断。

导通角越大，意味着晶闸管导通的时间越长，输出电压的平均值越高；相应地，控制角越小，说明晶闸管开始导通的时间越晚，这可以在一定程度上调节输出电压。 通过调整控制角和导通角，可以实现对整流电路输出电压和电流的精确控制，这在实际应用中对于电力系统的稳定运行和负载的适应性至关重要。

负载上的电压由导通角决定，导通角越大则施加到负载上的电压就越高，而流过晶闸管上的电流由负载和施加在负载上的电压决定。

在一个电源周期中，晶闸管处于导通状态的电角度称为导通角。导通角的大小决定了晶闸管在电源周期中的导通时间。当导通角越大时，晶闸管的导通时间越长，通过的电流也就越大。因此，通过调节导通角的大小，可以控制通过晶闸管的电流大小。

同样的电路晶闸管开通时间比二极管长还是短

一般情况下电路晶闸管开通时间要比二极管长一点，晶闸管和二极管是两类不同的器件，谈不上区别。二极管是一个单向导电器件。晶闸管有单向和双向之分，通常的晶闸管，开通后不能自行关断，需要在外加电压下降到0甚至反向时才关断。

结构不同 晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。作用不同 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

单向半波可控整流大电感负载有续航二极管电路中，晶闸管的控制角的最大移相范围为0到90度之间。在这个范围内，晶闸管的导通时间越短，控制电路的损耗就越小，整流电路的效率就越高。

可控硅绝大多数故障都是由于过压（电压过大）击穿导致的，你可以安装一个可控硅自动防护装置，这种防护装置包括由导电材料制成的弹簧体，它具有在中心附近折叠弯曲的接触面。可控硅置于接触面之间而端板处于与各接触面电相对的位置上。一个导板置于一个端板和一个接触面之间。

晶闸管整流电路需要设置触发电路不断地重复触发才能持续地进行整流，而晶体二极管整流电路不需要，在这方面是后者为优；晶闸管整流电路可以通过调整导通角来控制整流输出电压，而晶体二极管整流电路不能，在这方面是前者为优。

单向晶闸管的导通条件与阻断条件是什么?

① 晶闸管A、K之间正向偏压。② 晶闸管G、K之间也必须正向偏压。2）晶闸管导通后，降低或去掉控制极电压时，晶闸管仍然导通（UGK失效）。3）导通后的晶闸管要关断时，必须减小其阳极电流，使其小于晶闸管的某一个电流值。（3）工作原理 1）晶闸管具有弱电触发信号控制强电（IAK）的作用。

晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

闸管导通的条件是阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。

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