螺栓是晶闸管的什么（螺栓是晶闸管的什么器件）

晶闸管的结构?

1、晶闸管有三个pn结，晶闸管由四层半导体PNPN、三个PN结(JJ2和J3)构成，具有三个电极。晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。

2、普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结。

3、晶闸管的结构 目前大功率晶闸管常用的外形结构有螺栓式和平板式，它具有三个PN结的四层结构，其外形、结构和图形符号如图所示。

4、晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。二极管一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。

5、晶闸管是一种比三极管更加复杂的半导体结构，具有3个PN节结构。主要用在大电流的功率控制电路里。晶闸管的开通和关闭和三极管有很大的差别，可以视为一个双稳态器件，只具有两个工作状态即开通和关闭。

6、．晶闸管的结构 晶闸管是一种4层功率半导体器件，具有3个PN结，其内部的构造、外形和电路符号如下图所示。其中，最外层的P区和N区分别引出两个电极，称为阳极A和阴极K，中间的P区引出控制极（或称门极）。2晶闸管的特点： 具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。

螺栓型晶闸管和平板晶闸管的区别

1、螺栓型晶闸管是拧在散热器是的一般是自然冷却或强迫风冷，而平板晶闸管是夹在散热器中间的功率一般比较大水冷的比较多。

2、晶闸管的结构 目前大功率晶闸管常用的外形结构有螺栓式和平板式，它具有三个PN结的四层结构，其外形、结构和图形符号如图所示。

3、（三）按封装形式分类 晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。（四）按电流容量分类 晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。

4、按照封装形式分类，晶闸管可以分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。按照电流容量分类，晶闸管可以分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。

5、根据封装形式（外观）普通晶闸管（可控硅）的极性可以根据其封装形式来判断。螺栓型普通晶闸管（可控硅）的螺栓端为阳极A，较细的引线端为栅极G，较粗的引线端为阴极K。扁平晶闸管的引线端为栅极G，扁平端为阳极A，另一端为阴极K。金属封装晶闸管（T0-3）是一种普通晶闸管，外壳为阳极A。

6、晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。

怎么测可控硅的好坏?

1、可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。

2、可以用万用表测量三个极之间的电阻值来测量可控硅的质量。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，它们之间有两个PN结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通。

3、如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

晶体闸流管种类

晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。（五）按关断速度分类 晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。原理不同 三极管：晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。

宽禁带半导体器件 宽禁带半导体器件，如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）器件，具有更高的禁带宽度和更高的击穿电场，适合用于高压、高温、高频的功率处理场合。这些器件正在逐渐进入市场，并有望在电动汽车、可再生能源等领域发挥重要作用。

电子管的种类 (一)按用途分类电子管按其用途的不同可分为电压放大管、功率大管、充气管、闸流管、引燃管、混频或变频管、整流管、振荡管、检波管、调谐指过管、稳压管等。

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