晶闸管的斜率电阻（晶闸管的斜率电阻是什么）

晶闸管导通角度与流过电流的关系

未导通前电流近似为零，导通后电流与接在晶闸管上的触发电压与触发端上所串接的电阻有关。电流与电压波形一样，没有超前和滞后。

快速晶闸管模块的导通角与模块能输出的最大电流有直接关系，快速晶闸管模块的标称电流是最大导通角时能输出的最大电流。

是的，晶闸管导通角越小，通过的电流越小，负载上的压降越大，二电源电压是固定的，因此它两端的电压就会越高。

晶闸管导通后，负载上的电压由导通角决定，导通角越大则施加到负载上的电压就越高，而流过晶闸管上的电流由负载和施加在负载上的电压决定。

晶闸管调光电阻数值是多少合适

1、两个33k电阻和一个整流桥电路，构成的是一个预置旁路电路，整流桥是利用二极管的0.7V导通电压，来稳定两极可控硅控制的突变，对整个电路起到一定的抗干扰作用。

2、．判别各电极 用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值，若测得某一管脚与其它两脚均不通，则此脚便是主电极T2。 找出T2极之后，剩下的两脚便是主电极T1和门极G3。

3、举个例子：如果可控硅两端的电压最大值是311V，而它的控制电流要在15mA以下，你可以大概选个中间值，就6mA吧。那么用311V/50K=22mA。

可控硅怎么测量好坏?手把手教你快速判断可控硅好坏

1、测量可控硅好坏的方法如下：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

2、单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。

3、单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

功率MOS场效应晶体管的基本特性

1、场效应管的抗辐射能力强；由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

2、场效应管的特点就是利用多数载流子导电，温度稳定性较好。场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107—1012Ω）很大。

3、具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

4、(2)MOSFET的漏极伏安特性（即输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）饱和区（对应于GTR的放大区）非饱和区（对应GTR的饱和区）工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。

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